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硅穿孔工藝設備硅穿孔工藝設備硅穿孔工藝設備

硅穿孔工藝設備

硅穿孔工藝設備
硅穿孔(TSV,Through Silicon Via):通過芯片和芯片之間,晶圓和晶圓之間制作垂直導通,實現芯片之間互連的最新技術。能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大,芯片之間的互連線最短,外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能,使目前電子封裝技術中最引人注目的新技術。
特點:
1.縮小封裝尺寸。
2.高頻特性出色,減少傳輸延時的一種技術。
3.降低芯片功耗,TSV可將硅鍺芯片的功耗降低約40%。
4.熱膨脹可靠性高。



產品特點:
應用范圍:TSV工藝
晶圓尺寸:6英寸,8英寸,12英寸
工藝流程:Insulation, Barrier,Cu seed/fill/Prewet, Anneal
工藝特型:單晶圓面向上濕法工藝
薄膜沉積:Electrografting(eG) and Chemicalgrafting(cG) deposition
反應物管路:CDS( Chemistry Delivery System)
系統參數:單晶圓腔體工藝(手動,半自動)
多腔體工藝(自動)
--EFEM/FOUP(Robot/Pre-aligner)
--Transfer Robot
--Process cell
--Control unit
--Electric unit
--Chemical supply unit
--CDS

上一個:勻膠機 下一個:大氣監測無人機

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