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光刻系統

  • 無掩膜光刻機 激光直寫系統
無掩膜光刻機 激光直寫系統

無掩膜光刻機 激光直寫系統

  • 產品描述:無掩膜光刻機 激光直寫系統

無掩膜光刻機/激光直寫系統

MLW-100

市場上使用405納米激光器的最高分辨率600納米的結構

405納米激光源,可用于要求更高的應用

緊湊型光學模塊:使用備用光學模塊減少革命性的機器停機時間

用戶友好操作

獨特的研發機會

405nm光學模塊將允許系統最小線寬達到600納米

能力

-市場上使用壽命長的405納米激光器的最高分辨率。

-最小線寬達到600納米

-高達4095級的直寫灰度

-375納米激光可用于要求更高的應用(選配:375納米激光)

-光柵模式和矢量模式可用。

-軟件可控制的寫入模式選擇。

-實時自動聚焦成為可能。

-支持從5mm x 5mm125mm x 125mm的基板

操作

-現代的基于Microsoft Windows的用戶界面允許用戶友好的操作。

-高度自動化的處理,一鍵操作。

-遠程互聯網支持

安裝和維護

- MLW-100是一個緊湊的桌面系統,需要最小的清潔空間。

-緊湊型光學模塊:使用備用光學模塊來減少機器停機時間。

-安裝快速方便:除操作PC和真空泵外,所有主要部件

安裝在外殼內。

-維護成本最低,無需定期維護。

緊湊型光學模塊,具有卓越的穩定性和革命性的短停機時間

完整的光學路徑包含在一個小的可更換模塊(光學模塊)中。通過盡可能短的優化路徑,與傳統的優化設置相比,點穩定性大大提高。光學模塊包含壽命長的405 nm激光和最佳光斑形狀的光束整形光學元件。

特征:

-市場上最小的高品質激光束光斑。

-集成的650納米紅色激光控制自動對焦系統自動糾正高度變化。

-綜合劑量控制。

-選項:對于要求較低的任務,可以使用全自動NA開關選擇較大的光斑尺寸。此開關允許系統使用更大的點以提高速度。

光學特性

激光源405納米,GaN激光器

壽命>10000小時

寫入模式:0.6μm,可選1.2μm2.0μm FWHM

工作距離0.9毫米

最大強度為3 mW,軟件可控。

灰度控制4095

自動對焦800 Hz band寬,650nm 紅光激光控制

-0.3…x…+0.3 mm高度變化,帶自動高度跟蹤。

快速的音圈執行器,精確的實時Z校正。

焦距可通過軟件控制進行調整。

正面對準

光學模塊配備高分辨率攝像機,用于需要多層的應用。相機圖像由高級成像軟件處理。自動標記識別使用戶很容易找到標記。用戶可以設定任何形狀作為標記。當在相機的視場中找不到標記時,軟件支持區域掃描,以便在更大的區域中自動搜索標記。對齊和圖像補償可以基于一個、兩個或三個標記。

正面對準指標:

校準照相機單色520萬像素。

像素分辨率1μm

最終對準精度 <0.5μm

修正算法通過掃描和步進軸之間的插值運動進行位置、比例(最大5%)、傾斜、旋轉(最大+/-5度)旋轉修正。

MLW-100配備了用于XY運動的高精度軸和一個用于Z運動的可選軸。掃描軸(Y)包含一個高精度燕尾形空氣軸承,該軸承由帶納米分辨率編碼器的直線電機驅動。步進軸(X)采用帶直線電機和高分辨率光學編碼器的精密滾子軸承。該系統允許極低的機械誤差和快速掃描運動。可選的電動控制Z軸具有12 mm行程,以支持各種基板厚度。

用真空吸盤夾緊基板。真空吸盤易于更換,以支持不同的基板尺寸。

機械性能

行程和階梯最大115 mm

重復性<50 nm RMS

分辨率10納米

掃描速度最大200 mm/s

直線度軸 <1μm,在100 mm范圍

樣品厚度:0-10 mm手動調整;12 mm,安裝可選電動Z軸。

樣品襯底厚度變化最大值+/-0.2mm

樣品襯底尺寸:5mm x 5mm125mm x 125mm

曝光區域: 100mm x 100mm

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